NPN medium frequency transistor The part BF199 is a general-purpose NPN transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)
- **Package**: TO-92 (plastic encapsulation)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 25V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (depending on operating conditions)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for small-signal amplification and switching applications.

NPN medium frequency transistor The part BF199 is manufactured by PH (Philips). It is an NPN silicon planar epitaxial transistor designed for general-purpose amplifier applications. 

Key specifications:
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 25V
- Collector-Base Voltage (VCBO): 40V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 100mA
- Total Power Dissipation (Ptot): 300mW
- Transition Frequency (fT): 200MHz
- DC Current Gain (hFE): 40-250

The transistor is housed in a TO-92 package. 

Note: Always verify specifications with the latest datasheet from the manufacturer.

NPN medium frequency transistor The part BF199 is manufactured by NSC (National Semiconductor Corporation). It is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Gain Bandwidth Product (hFE):** 40-250 (depending on operating conditions)  
- **Package:** TO-92  

This transistor is suitable for low-power amplification and switching in electronic circuits.

NPN medium frequency transistor The part BF199 is manufactured by FAIRCHILD. It is an NPN silicon RF transistor designed for use in high-frequency amplification applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon RF Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 4V  
- **Collector Current (I_C)**: 50mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 500MHz  
- **Noise Figure**: 4dB (typical at 100MHz)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are standard for the BF199 transistor in RF amplification circuits.

NPN medium frequency transistor The part BF199 is manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). It is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 360mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Package**: TO-92  

These specifications are typical for the BF199 transistor as per FSC's datasheet.

NPN medium frequency transistor The part BF199 is a general-purpose NPN transistor manufactured by NS (NXP Semiconductors). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92 (through-hole)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40–250 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical for the BF199 transistor in standard operating conditions.

NPN medium frequency transistor The part BF199 is a general-purpose NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92 (through-hole)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40–250 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BF199 transistor.