Variable capacitance diode for electronic tuning applications The part **JDV2S09FS** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 10A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor drivers, and power management circuits.  
- Built-in gate protection diodes.  

For detailed application notes or additional technical data, refer to Toshiba’s official datasheet.