Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications The 1N5711 is a Schottky barrier diode manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications for the 1N5711:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: DO-35
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 70 V
- **Maximum RMS Voltage (VRMS)**: 50 V
- **Maximum DC Blocking Voltage (VDC)**: 70 V
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 15 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 200 mA (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 1.1 V (at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (at 70 V)
- **Junction Capacitance (CJ)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +175°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics for the 1N5711 Schottky diode.

Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications The 1N5711 is a Schottky barrier diode manufactured by JF (Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd.). Key specifications include:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.41V at 1mA
- **Reverse Voltage (VR):** 70V
- **Forward Current (IF):** 15mA (average rectified)
- **Reverse Recovery Time (trr):** Extremely fast, typically less than 4ns
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C
- **Package:** DO-35

These specifications are standard for the 1N5711 Schottky diode, which is commonly used in high-frequency applications such as RF detectors, mixers, and fast switching circuits.

Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications The 1N5711 is a Schottky barrier diode manufactured by Hewlett-Packard (HP). Here are the key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: DO-35
- **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 70 V
- **Forward Voltage (V_F)**: 0.41 V (typical) at 1 mA
- **Reverse Current (I_R)**: 5 µA (maximum) at 70 V
- **Forward Current (I_F)**: 15 mA (average rectified)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Junction Capacitance (C_J)**: 1.5 pF (typical) at 0 V, 1 MHz

These specifications are based on the datasheet provided by HP for the 1N5711 Schottky diode.