200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The JANTXV2N6798 is a high-reliability N-channel power MOSFET manufactured by Harris. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 400V  
- **Current Rating (I_D):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Descriptions:**
- The JANTXV2N6798 is a rugged, high-voltage MOSFET designed for demanding applications requiring high reliability.  
- It is qualified to MIL-PRF-19500 standards, ensuring performance in harsh environments.  
- Suitable for power switching, amplifiers, and high-voltage regulation.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 400V drain-source breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speeds:** Enables high-frequency operation.  
- **High Reliability:** Manufactured to military-grade standards.  
- **Rugged Design:** Suitable for industrial and aerospace applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The JANTXV2N6798 is a high-reliability, military-grade N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 50ns (typical)  

### **Description:**  
The JANTXV2N6798 is a radiation-hardened, high-voltage MOSFET designed for military and aerospace applications. It is built to meet stringent reliability standards (JANTXV qualification) and is suitable for high-power switching applications in harsh environments.  

### **Features:**  
- **Radiation-Hardened:** Designed for space and military applications  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load switching  
- **Hermetically Sealed Package:** TO-254AA (TO-66) metal can for durability  
- **High Reliability:** Meets MIL-PRF-19500/543 standards  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package