LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR The part **JANS2N3019** is a **JAN (Joint Army-Navy) qualified** version of the **2N3019** transistor, designed to meet stringent military specifications for reliability and performance in harsh environments.  

### **Manufacturer:**  
- **Original Manufacturer:** Originally produced by **Motorola** (now part of ON Semiconductor).  
- **Current Manufacturers:** May also be supplied by other military/aerospace-qualified suppliers such as **Microsemi (now part of Microchip Technology)** or **Semicoa**.  

### **MOT (Military Operating Temperature) Specifications:**  
- **Military Standard:** **MIL-PRF-19500** qualified.  
- **Temperature Range:** **-55°C to +200°C** (operating and storage).  
- **Radiation Hardened:** Some versions may be radiation-hardened for space applications.  
- **Reliability:** High-reliability (Hi-Rel) screening per MIL-STD-750 or MIL-STD-883.  

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** **NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)**.  
- **Package:** **TO-39 metal can** (hermetic sealing for military-grade reliability).  
- **Applications:** High-reliability military, aerospace, and industrial systems where extreme temperature and environmental resistance are required.  
- **Key Features:**  
  - High current and power handling.  
  - Low leakage.  
  - Long-term stability under harsh conditions.  

This part is **not typically used in commercial applications** due to its specialized military-grade construction and higher cost.

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR