GENERAL TRANSISTOR NPN SILICON The 2N3700 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications for the 2N3700 transistor:

- **Type**: NPN
- **Package**: TO-39
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 40 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 60 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6 V
- **Collector Current (I_C)**: 500 mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 800 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the datasheet provided by STMicroelectronics.

GENERAL TRANSISTOR NPN SILICON The 2N3700 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOT). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:

- **Type**: PNP BJT
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -500mA
- **Power Dissipation (PD)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120 (at IC = -10mA, VCE = -1V)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.

GENERAL TRANSISTOR NPN SILICON The 2N3700 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -25 V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -40 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V
- **Collector Current (I_C)**: -500 mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 625 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for general-purpose amplification and switching applications.