High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor The part J13009 is manufactured by FAIRCHILD. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor)  
- **Part Number:** J13009  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220 (likely, but confirm datasheet for exact package)  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** High voltage rating (exact value to be verified from datasheet)  
  - **Collector-Base Voltage (V_CB):** Typically higher than V_CEO  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EB):** Usually around 5V to 7V  
- **Current Ratings:**  
  - **Collector Current (I_C):** High current capability (e.g., 12A or higher, check datasheet)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically around 75W to 100W (depends on package and heatsinking)  
- **Gain (h_FE):** Medium to high current gain (specific range depends on operating conditions)  
- **Switching Speed:** Suitable for medium to high-speed switching applications  

### **Descriptions:**  
- The J13009 is a high-voltage, high-current NPN transistor designed for power switching and amplification applications.  
- Commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-power circuits.  
- Features robust construction for reliable performance in demanding environments.  

### **Features:**  
- High voltage and current handling capability.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Fast switching speed for power applications.  
- TO-220 package (if applicable) for easy mounting with a heatsink.  

For exact values and detailed performance curves, refer to the official **Fairchild Semiconductor datasheet** for the J13009.

High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor The part **J13009** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 400V  
  - **Collector-Base Voltage (V_CB):** 400V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 9V  
- **Current Ratings:**  
  - **Collector Current (I_C):** 12A (continuous)  
  - **Peak Collector Current (I_CM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 6A, V_CE = 5V)  
- **Switching Speed:**  
  - **Turn-On Time (t_on):** 500ns (typical)  
  - **Turn-Off Time (t_off):** 1000ns (typical)  

### **Description:**  
The **J13009** is a high-voltage, high-current NPN power transistor designed for switching applications. It is commonly used in power supplies, inverters, motor control circuits, and other high-power electronic systems.  

### **Features:**  
- High voltage capability (400V)  
- High current handling (12A continuous, 24A peak)  
- Fast switching speed for efficient power control  
- Low saturation voltage for reduced power loss  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the technical specifications of the **FAIRCHILD J13009** transistor.