### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel JFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS):** -25V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS):** -25V  
- **Gate-Source Cutoff Voltage (V_GS(off)):** -1V to -5V (typical)  
- **Zero-Gate Voltage Drain Current (I_DSS):** 10mA to 30mA (typical)  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-noise, high-input impedance applications.  
- Suitable for analog switching, chopper circuits, and signal processing.  
- Small-signal amplification applications.  
- Available in TO-92 packaging.  

For exact performance characteristics, refer to the **SILICONIX datasheet** for the J105.