IXBD4411PI

ISOSMART Half Bridge Driver Chipset The part **IXBD4411PI** is a power MOSFET manufactured by **IXYS**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 11mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IXBD4411PI is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and industrial applications.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (75A continuous, 300A pulsed).  
- **Fast switching** performance.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **TO-263 package** for efficient thermal dissipation.  
- **Suitable for high-power applications** such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

For exact performance characteristics, refer to the official **IXYS datasheet**.

ISOSMART Half Bridge Driver Chipset