30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET ?Trench Power MOSFET The part **ISL9N2357D3ST** is manufactured by **Intersil** (now part of Renesas Electronics). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Intersil (Renesas Electronics)  
- **Part Number:** ISL9N2357D3ST  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 75A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **RDS(ON) (Max):** 2.3mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**
- The ISL9N2357D3ST is a **high-performance N-Channel MOSFET** designed for power management applications.  
- It is optimized for **low on-resistance (RDS(ON))** and high current handling, making it suitable for **switching and power conversion** circuits.  
- The device is housed in a **D2PAK (TO-263) package**, which provides efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Low RDS(ON) for reduced conduction losses**  
- **High current capability (75A continuous)**  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from Intersil/Renesas.

30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET ?Trench Power MOSFET **Manufacturer:** FAIRCHILD  

**Part Number:** ISL9N2357D3ST  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.57Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

(Data sourced from Fairchild Semiconductor documentation.)