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IRLL014NTR from IRF,International Rectifier

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15.625ms

IRLL014NTR

Manufacturer: IRF

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLL014NTR IRF 2500 In Stock

Description and Introduction

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL014NTR is a power MOSFET manufactured by IRF (International Rectifier). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Part Number:** IRLL014NTR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 5.6A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**
- The IRLL014NTR is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for battery-powered circuits, load switching, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive circuits.  
- Fast switching speed.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official IRF documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRLL014NTR IR 12500 In Stock

Description and Introduction

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL014NTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 11A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 150pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 45pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** SOT-23  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- Logic-level gate drive  
- High ruggedness and reliability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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