200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL630S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Description:**  
The IRL630S is a high-speed, N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency operation  
- **Low Gate Charge** for improved drive efficiency  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.