30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3803 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1000pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRL3803 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance, fast switching, and high efficiency, making it suitable for power management in motor control, DC-DC converters, and other high-performance switching applications.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Low thermal resistance  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official International Rectifier datasheet.