20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3202 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRL3202  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0035Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 75A)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  

### **Description:**  
The IRL3202 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Avalanche energy rated  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **TO-262 (D²PAK)**  

This information is sourced from International Rectifier's official datasheet for the IRL3202.