600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a TO-262 package The IRGSL4B60KD1 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 24A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Switching Frequency:** Up to 20kHz  
- **Package Type:** TO-247 (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Features low saturation voltage (V_CE(sat)) for reduced conduction losses.  
- Includes a fast recovery anti-parallel diode for improved performance in inductive load applications.  

### **Features:**  
- **Low Switching Losses:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Suitable for motor drives and power converters.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Diode:** Integrated freewheeling diode for simplified circuit design.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a TO-262 package