600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-262 package The IRGSL10B60KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRGSL10B60KD  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 10A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRGSL10B60KD is a high-speed, low-loss IGBT module designed for power switching applications. It features a trench gate structure for improved efficiency and reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- Low switching and conduction losses  
- High-speed switching capability  
- Trench gate technology for improved performance  
- Built-in freewheeling diode for inductive load handling  
- Isolated base plate for easy mounting  
- RoHS compliant  

This module is commonly used in motor drives, inverters, and power conversion systems.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise specifications.)

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-262 package