Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode The IKP10N60T is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IKP10N60T  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ Trench (Superjunction)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The IKP10N60T is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It utilizes Infineon’s CoolMOS™ Trench technology, which provides low on-state resistance and high efficiency.  
- Suitable for power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.  

### **Features:**
- **Superjunction Technology:** Enables low conduction and switching losses.  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.