IRGP20B120UE

1200V UltraFast 5-40 kHz Single IGBT in a TO-247AC package The IRGP20B120UE is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 20 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 10 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical @ I_C = 20 A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-247 (3-pin)  
- **Technology:** Trenchstop™ IGBT technology for optimized performance  
- **Applications:** Suitable for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies  

### **Features:**  
- Low conduction and switching losses  
- High current capability  
- Positive temperature coefficient for easy paralleling  
- Robust and reliable design  
- Integrated fast recovery diode for improved efficiency  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Infineon datasheet.

1200V UltraFast 5-40 kHz Single IGBT in a TO-247AC package