1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AD package The IRG4PH40UD2-E is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 40A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 250ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PH40UD2-E is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications.  
- It features a co-packaged ultra-fast soft recovery diode for improved efficiency in inductive load switching.  
- Suitable for high-frequency switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Built-in Diode:** Includes an anti-parallel ultra-fast soft recovery diode for freewheeling applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1200V applications.  

This information is strictly based on manufacturer-provided data. For detailed application guidelines, refer to the official datasheet.

1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AD package