600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG30N60A4D is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C)**: 60A  
- **Current Rating (I_C @100°C)**: 30A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat))**: 2.1V (typical at I_C = 30A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 28ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 220ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-247  

This IGBT is designed for high-power switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for HGTG30N60A4D)