-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR9024TR is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -15A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 290pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 44ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- The IRFR9024TR is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of IR’s HEXFET family, known for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, suitable for surface-mount applications.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for 100% RG Tested:** Ensures reliability.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.