2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The IRFR420 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR420 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is part of the HEXFET® family, known for efficient power handling and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V V_DS rating  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust under transient conditions  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs