IRFR4105

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR4105 is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (at V_GS = 10V, I_D = 21A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 36ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR4105 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package