100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3910TRL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Here are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFR3910TRL is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching speed.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Guarantees stable operation in switching applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is sourced directly from Infineon Technologies' datasheet for the IRFR3910TRL.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package