IRFR3707TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3707TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRFR3707TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- The device is optimized for fast switching and efficient power conversion.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package