N-CHANNEL 60V 0.022 OHM 35A DPAK / IPAK STRIPFET II POWER MOSFET The **STD30NF06LT4** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.03Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Package:**
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Description:**  
The **STD30NF06LT4** is a **Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching performance.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
- **Low thermal resistance** due to the DPAK package.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL 60V 0.022 OHM 35A DPAK / IPAK STRIPFET II POWER MOSFET