200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR13N20DTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Description:**  
The IRFR13N20DTR is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package