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IRFR120TRPBF from VISHAY

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IRFR120TRPBF

Manufacturer: VISHAY

Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFR120TRPBF VISHAY 2000 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET The IRFR120TRPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFR120TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 21A  
- **RDS(ON) (Drain-Source Resistance):** 0.27Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Description:**  
The IRFR120TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Suitable for 100V applications.  
- **Surface Mount Package (DPAK):** Compact and suitable for automated assembly.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load switching.  

This information is sourced from Vishay's official datasheet for the IRFR120TRPBF.

Application Scenarios & Design Considerations

Power MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFR120TRPBF IR 13600 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET The IRFR120TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 21A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.27Ω (max at VGS = 10V, ID = 2.6A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Switching Power Supplies  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Battery Management Systems  
- Load Switching  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

Power MOSFET

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