800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPE50PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFPE50PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications up to 500V.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-247AC Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on Vishay's datasheet for the IRFPE50PBF.

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPE50PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRFPE50PBF is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 80ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 35ns (typical)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole mounting  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control circuits  
- Inverters and converters  
- High-voltage industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package