IRFPC60LC

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPC60LC is a power MOSFET manufactured by Harris. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Harris  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFPC60LC is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features fast switching speeds, low gate drive requirements, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (2.5Ω typical)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application guidelines, refer to the official Harris datasheet.

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package