IRFL024ZPBF

HEXFET Power MOSFET The IRFL024ZPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 140pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL024ZPBF is an N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power management circuits, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

HEXFET Power MOSFET