SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) The BSP297 is a P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 3.1 W (at T_C = 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15 Ω (max at V_GS = -10 V, I_D = -4.3 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1 V to -3 V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 15 nC (typical at V_DS = -48 V, V_GS = -10 V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSP297.

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) The BSP297 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Siemens (now Infineon Technologies). Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -1.5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -1.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220 (single-gauge)  

These specifications are based on the original datasheet from Siemens. For exact details, refer to Infineon's documentation.