600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIBC20GPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 23A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.42Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- Features low gate charge and low on-resistance for improved performance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low RDS(on):** Enhances power efficiency by reducing conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **TO-220AB Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.