100V Dual 2N- and 2P- Channel MOSFET in a MO-036AB package The IRFG5110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

100V Dual 2N- and 2P- Channel MOSFET in a MO-036AB package