HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP The IRFD9020 is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFD9020  

### **Description:**  
The IRFD9020 is an N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-speed switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 1.1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Drive Power Required**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

### **Applications:**  
- Switching regulators  
- Motor control  
- Power management circuits  
- High-speed switching applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP The IRFD9020 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by SILICONIX (a division of Vishay Siliconix).  

**Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions and Features:**  
- The IRFD9020 is designed for high-speed switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching speeds.  
- The device is optimized for low on-resistance and high efficiency.  
- It is suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  
- The HEXFET technology ensures high reliability and ruggedness.  

(Note: Specifications are based on typical datasheet values; always refer to the official datasheet for precise details.)

HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP The IRFD9020 is a P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- **IRFD9020**  

### **Type:**  
- **P-Channel HEXFET Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  

### **Applications:**  
- Power management  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Switching regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.