IRFD9020

HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP The IRFD9020 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by SILICONIX (a division of Vishay Siliconix).  

**Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions and Features:**  
- The IRFD9020 is designed for high-speed switching applications.  
- It features low gate charge and fast switching speeds.  
- The device is optimized for low on-resistance and high efficiency.  
- It is suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  
- The HEXFET technology ensures high reliability and ruggedness.  

(Note: Specifications are based on typical datasheet values; always refer to the official datasheet for precise details.)

HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP