-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9014 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.2A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFD9014 is a small-signal N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and general-purpose switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Low on-resistance**  
- **High input impedance**  
- **Avalanche energy rated**  
- **TO-252 (DPAK) package**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9014 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFD9014  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Low Gate Drive Requirements** (compatible with logic-level signals)  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching  
- **Silicon Gate Technology** for improved performance  

### **Applications:**  
- Switching regulators  
- Motor control  
- Power management circuits  
- DC-DC converters  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.