-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD9014 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFD9014  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 5.2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Low Gate Drive Requirements** (compatible with logic-level signals)  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching  
- **Silicon Gate Technology** for improved performance  
### **Applications:**  
- Switching regulators  
- Motor control  
- Power management circuits  
- DC-DC converters  
- Load switching  
This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.