400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD320 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRFD320 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is housed in a TO-252 (DPAK) package, which is surface-mountable.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Low On-Resistance**  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRFD320 MOSFET.