100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF520NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 47ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Package:**  
- **Type:** TO-220AB  
- **Mounting:** Through-Hole  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Suitable for high-frequency applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.