400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD310 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- **IRFD310**  

### **Type:**  
- **N-Channel Enhancement Mode MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** (Surface-mount package)  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Designed for low-voltage, high-speed switching applications**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Logic-level compatible (with sufficient V_GS)**  

### **Applications:**  
- **Power switching circuits**  
- **DC-DC converters**  
- **Motor control**  
- **Load switching**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package