N Channel Enhancement Mode Transistor The IRFD020 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRFD020**  

### **Type:**  
- **N-Channel MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK) or TO-220 (depending on variant)**  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Designed for low-voltage, high-speed switching applications**  

### **Applications:**  
- **Power switching circuits**  
- **DC-DC converters**  
- **Motor control**  
- **Load switching**  

This information is based on standard datasheet specifications for the IRFD020 MOSFET. For exact details, refer to the official datasheet from the manufacturer.

N Channel Enhancement Mode Transistor