-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9Z34 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
- IRF9Z34  

### **Type:**  
- P-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- Power switching in DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery management systems  
- Power supplies  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.