-60V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF9Z14S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 76A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRF9Z14S is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.