-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF9362 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRF9362**  

### **Type:**  
- **P-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in power applications  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load switching  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  

### **Applications:**  
- **Power Management**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Switching Regulators**  
- **Battery-Powered Systems**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.