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IRF840STRRPBF from VISHAY

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15.625ms

IRF840STRRPBF

Manufacturer: VISHAY

Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF840STRRPBF VISHAY 12000 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET The IRF840STRRPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF840STRRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF840STRRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion, motor control, and switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (0.85Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-263 Package for Surface Mount Applications**  

This information is sourced from Vishay's official documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF840STRRPBF IR 5600 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET The IRF840STRRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF840STRRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 32A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 65pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns  
- **Rise Time (tr):** 50ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns  
- **Fall Time (tf):** 25ns  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V rating  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- Industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

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