N-CHANNEL 800V The **STP8NK80ZFP** is an N-channel MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220FP (Fully Insulated)  

### **Descriptions:**  
- The **STP8NK80ZFP** is a high-voltage **SuperMESH™** MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features **low gate charge** and **low on-resistance**, improving performance in power conversion circuits.  
- The **fully insulated TO-220FP package** provides electrical isolation, eliminating the need for an additional insulator.  

### **Features:**  
- **SuperMESH™ Technology** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** for robustness in harsh conditions.  
- **Fully insulated package** for simplified mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 800V