500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF840LCL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF840LCL  

### **Description:**  
The IRF840LCL is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® power MOSFET series, offering low on-resistance and high efficiency.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Features:**  
- **HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and ruggedness.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures predictable performance in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Package:**  
- **TO-262 (D²PAK):** A surface-mount power package with a heatsink tab for improved thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.