500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF840AL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF840AL is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.