500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF820A is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF820A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (500V)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  

The device is packaged in a TO-220AB through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

(Note: This information is based on Ic-phoenix technical data files and may vary slightly depending on datasheet revisions.)