IRF7901D1

30V FETKY The IRF7901D1 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **IRF (International Rectifier)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0085Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF7901D1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V FETKY