IRF7750

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7750 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF7750 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Ultra-Low On-Resistance** (R_DS(on)) for reduced power dissipation.  
- **Fast Switching Performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package